下一代高带宽存储器HBM4的供应竞争格局初步成形。SK海力士将获得英伟达Vera Rubin平台约七成HBM4订单，远超市场此前预期，而三星电子正寻求通过技术升级和价格策略夺回市场份额。

据媒体28日援引消息人士报道，英伟达预计将其Vera Rubin平台约三分之二的HBM4需求分配给SK海力士，具体份额接近70%。这一比例远高于此前市场预期的略高于50%的水平。

与此同时，据报道，行业消息人士称，三星电子将从下月开始向英伟达和AMD等主要AI芯片客户正式出货HBM4产品。这标志着三星在完成最终认证测试后，客户已下达量产订单而非仅要求样品供应。

据Dealsite报道，消息人士透露，两家公司向英伟达供应HBM4的价格水平相当，显示三星的定价能力已赶上SK海力士。行业消息人士预计12层HBM4产品价格将超过600美元。

SK海力士巩固领先地位

SK海力士获得的供应份额远超市场此前预期。报道援引分析师观点指出，这反映了市场对SK海力士与英伟达等主要客户长期HBM合作关系的信心，以及其在大规模生产中持续保持高良品率所建立的信任。

随着HBM市场超越纯技术竞争阶段，稳定的品质和量产能力正日益被视为核心竞争优势。报道称，SK海力士去年9月已建立HBM4量产体系，此后向英伟达提供了大量付费样品，这些样品顺利通过最终验证。因此，SK海力士正朝着全面量产最终版HBM4产品的方向推进，以满足主要客户的时间表。

在强化HBM业务的同时，SK海力士正扩大其在AI生态系统的战略布局。据华尔街见闻此前文章，SK海力士计划在美国设立专门的人工智能投资部门，以统一管理SK集团旗下分散的AI相关投资，新部门预计将接管集团约10万亿韩元的海外AI相关投资资产。

首批纳入的资产预计包括SK株式会社和SK Innovation持有的美国小型模块化反应堆公司TerraPower的股份。此举旨在加快投资决策速度并提升专业能力。

三星发起技术反攻

据报道，三星正寻求通过领先一代的技术规格实现最高性能。三星在HBM4产品中采用10纳米级工艺的第六代(1c) DRAM，比竞争对手领先一代，并在逻辑芯片上应用4纳米代工工艺，在控制核心集成度上领先数代。

尽管三星此前将12层HBM3E产品定价较SK海力士低约30%，但在HBM4谈判中寻求价格对等，最终实现相近价格水平。两家公司向英伟达供应HBM4的价格已基本持平。

据EBN报道，尽管SK海力士获得英伟达大部分供应份额，市场环境仍对两家公司有利。来自英伟达及AMD、谷歌、微软等全球科技公司的AI芯片需求超出预期，推动HBM需求上升，并抬高HBM3E和HBM4价格。

EBN补充称，三星电子今年在全球HBM市场的份额预计将超过30%。凭借与AMD和谷歌等公司的稳固合作关系，若这些客户的AI芯片需求加速，三星的HBM销售额可能实现更快增长。