三星电子计划下月启动下一代高带宽内存芯片HBM4的生产,并向英伟达供货,这标志着三星电子在先进存储芯片领域取得关键突破,有望缩小与竞争对手SK海力士的差距。

周一,据路透援引知情人士消息,三星已通过英伟达的HBM4资格测试,将于2月开始出货。此前,三星在HBM供应方面的延迟曾对其去年的业绩和股价造成冲击。

消息公布后,三星股价周一早盘上涨2.2%,而竞争对手SK海力士股价下跌2.9%。两家公司均将于本周四公布第四季度财报,届时预计将披露HBM4订单的更多细节。

英伟达首席执行官黄仁勋本月早些时候表示,该公司下一代芯片Vera Rubin平台已进入“全面生产”阶段,这些芯片将搭配HBM4芯片,计划于今年晚些时候推出。

三星追赶SK海力士的关键一步

据韩国《经济日报》周一报道,三星已通过英伟达和AMD的HBM4资格测试,并将于下月开始向英伟达出货。知情人士拒绝透露三星计划向英伟达供应的具体芯片数量。

SK海力士作为英伟达AI加速器所需先进存储芯片的主要供应商,一直在该领域保持领先地位。该公司去年10月表示已完成明年与主要客户的HBM供应谈判。

SK海力士一位高管本月早些时候告诉路透,公司计划下月开始在韩国清州的新工厂M15X投入硅晶圆生产HBM芯片,但未详细说明HBM4是否将成为初期生产的一部分。